HBM混合键合凉了！三星、SK海力士急刹车：HBM4用不上 HBM5也悬

混合键合的混合键合凉K海无凸点减薄优势不再紧迫。无需使用凸点，力士

混合键合技术在下一代HBM上的急刹全面应用可能比预期进一步延迟。

SK海力士则推出iHBM技术，用不也悬

7月6日消息，混合键合凉K海据报道，力士三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，急刹短期内混合键合不会大规模部署，用不也悬导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层，混合键合凉K海当前HBM4的力士I/O数量已翻倍至2048个。

散热问题也有了更简单的急刹替代方案。

16层以上高堆叠产品的用不也悬需求并不紧迫，将电绝缘、混合键合凉K海两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。力士可从堆叠内部带走热量。急刹HBM4已放宽至775微米。

而HBM3E标准厚度为720微米，这进一步延缓了混合键合的规模化部署。即使到HBM4E阶段，

混合键合技术直接连接DRAM芯片间的铜线，

业内判断，

目前客户和内存制造商并未积极讨论16层HBM的问题。称可较现有产品降低超过30%热阻。JEDEC正在讨论将HBM5的厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米。

若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，不过混合键合的研发并未停滞。厚度标准松动后，届时必须采用混合键合以实现更高密度连接。但中长期当I/O密度再次爆炸时仍是发展方向。在封装内部加入独立热柱，行业分析师指出，有助于减小HBM厚度并改善散热。