7月6日消息，难M内I内布线复杂，存换存墙XBM不太可能直接取代HBM内存，个方公开时间是向突今年7月2日。一个电容（1T1C）、难M内I内芯片堆栈中的存换存墙每个存储芯片包含一个晶体管、2024年12月26日申请的个方，功耗更低，向突这一轮内存大涨价归因于AI需求，难M内I内XBM内存预计会比当前的存换存墙HBM4提升一倍的带宽、但该技术面向的个方至少是2030年之后的市场，

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，向突面积效率越来越低，难M内I内Intel指出当前HBM内存面临的存换存墙技术挑战，再通过更多的个方TSV通道来提升总带宽。Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。就算40年前退出了内存生产，

Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，现在说技术好不好还太早，面积效率大增，而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，功耗越来越高，结合里面提到的参数来推测，

总的来说，各种技术标准都少不了Intel的推动，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，包括面积被TSV侵占，

这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，

根据这个专利，而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。但在技术研发下一直没拉下，现在把它做到后端金属层中，HBM6，后端动态随机存取存储器（DRAM）。等过几年有产品了再看。单论技术指标应该不占优势了。

最终做出来的XBM内存面积效率高，

XBM内存已经不是第一次露出苗头了，尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，未来难以为继。这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。容量，届时会有HBM5、但HBM同样面临着技术限制，在当前的HBM内存中Intel话语权不高，

Intel是内存技术起价的，